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產(chǎn)品說明:OptiMOSTM 集成功率級器件,具有出色的效率和熱性能 39-PowerVFQFN
封裝:QFN-39產(chǎn)品說明:采用 TO-220 封裝的 55V 單 N 溝道功率 MOSFET
封裝:TO-220-3產(chǎn)品說明:降壓 開關(guān)穩(wěn)壓器 IC 正 1 輸出 39-PowerVFQFN
封裝:QFN-39產(chǎn)品說明:OptiMOS? 5 功率 MOSFET 100 V,采用 TO-220 封裝
封裝:TO-220-3產(chǎn)品說明:采用 TO-220AB 封裝的 60V 單 N 溝道 IR MOSFET?
封裝:TO-220AB產(chǎn)品說明:柵極驅(qū)動器 磁耦合 2500Vrms 1 通道 PG-DSO-8-59
封裝:DSO-8產(chǎn)品說明:采用 TO-220 封裝的 75V 單 N 溝道 StrongIRFET? 功率 MOSFET
封裝:TO-220-3產(chǎn)品說明:柵極驅(qū)動器 磁耦合 2500Vrms 1 通道 PG-DSO-8-59
封裝:DSO-8產(chǎn)品說明:用于電信應(yīng)用的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 80V
封裝:TO-220-3產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 溝槽型場截止 半橋逆變器 1200 V 600 A 底座安裝
封裝:Module產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 2 個獨(dú)立式 1700 V 1390 A 6250 W 底座安裝
封裝:模塊產(chǎn)品說明:柵極驅(qū)動器 磁耦合 2500Vrms 1 通道 PG-DSO-8-59
封裝:DSO-8產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 溝槽型場截止 2 個獨(dú)立式 1700 V 900 A 20 mW 底座安裝 AG-ECONOD
封裝:Module產(chǎn)品說明:表面貼裝型 N 通道 100 V 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3-2
封裝:TO-263產(chǎn)品說明:采用 TO-220 封裝的 60V 單 N 溝道 StrongIRFET? 功率 MOSFET
封裝:TO-220-3產(chǎn)品說明:表面貼裝型 N 通道 100 V 50A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3-11
封裝:TO-252電話咨詢:86-755-83294757
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