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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

品牌:

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫存

購買數(shù)量

單價

操作

BQ25606RGER
TI

產(chǎn)品說明:鋰離子/聚合物 充電器 IC 24-VQFN(4x4)

封裝:VQFN24
10起
45000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBF170R1K0M1XTMA1

產(chǎn)品說明:采用TO-263-7封裝的1700V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

封裝:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBF170R1K0M1

產(chǎn)品說明:采用TO-263-7封裝的1700V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

封裝:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R107M1HXKSA1

產(chǎn)品說明:650V CoolSiC? MOSFET – 碳化硅(SiC)MOSFET 采用 TO247 3 引腳封裝

封裝:TO-247-3
10起
240
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R107M1H

產(chǎn)品說明:650V CoolSiC? MOSFET – 碳化硅(SiC)MOSFET 采用 TO247 3 引腳封裝

封裝:TO-247-3
10起
240
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA120R040M1HXKSA1

產(chǎn)品說明:采用TO247-4封裝的1200V 40mΩ CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

封裝:TO-247-4
10起
240
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA120R040M1H

產(chǎn)品說明:采用TO247-4封裝的1200V 40mΩ CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

封裝:TO-247-4
10起
240
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZ120R140M1HXKSA1

產(chǎn)品說明:采用TO247-4封裝的1200 V CoolSiC?溝槽式碳化硅MOSFET

封裝:TO-247-4
10起
240
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZ120R140M1H

產(chǎn)品說明:采用TO247-4封裝的1200 V CoolSiC?溝槽式碳化硅MOSFET

封裝:TO-247-4
10起
240
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R007M1HXKSA1

產(chǎn)品說明:采用TO247-3封裝的1200V 7mΩ CoolSiC? 溝槽型碳化硅MOSFET

封裝:TO-247-3
10起
240
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R007M1H

產(chǎn)品說明:采用TO247-3封裝的1200V 7mΩ CoolSiC? 溝槽型碳化硅MOSFET

封裝:TO-247-3
10起
240
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R040M1H

產(chǎn)品說明:采用TO247-3封裝的1200V 40mΩ CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

封裝:TO-247-3
10起
240
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R040M1HXKSA1

產(chǎn)品說明:采用TO247-3封裝的1200V 40mΩ CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

封裝:TO-247-3
10起
240
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R090M1HXTMA1

產(chǎn)品說明:采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

封裝:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R090M1H

產(chǎn)品說明:采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

封裝:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R039M1H

產(chǎn)品說明:SMD緊湊型封裝SiC MOSFET

封裝:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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