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產(chǎn)品說明:采用TO247-3封裝的1200V 40mΩ CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:采用TO247-3封裝的1200V 40mΩ CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-263-7產(chǎn)品說明:采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-263-7產(chǎn)品說明:SMD緊湊型封裝SiC MOSFET
封裝:TO-263-7產(chǎn)品說明:SMD緊湊型封裝SiC MOSFET
封裝:TO-263-7產(chǎn)品說明:采用TO247-4封裝的1200V 14mΩ CoolSiCTM 溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說明:采用TO247-4封裝的1200V 14mΩ CoolSiCTM 溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說明:采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-263-7產(chǎn)品說明:采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-263-7產(chǎn)品說明:CoolGaN? 集成功率級(jí) (IPS) 單通道 600V 可提供高密度、高效率的解決方案
封裝:QFN-21產(chǎn)品說明:CoolGaN? 集成功率級(jí) (IPS) 單通道 600V 可提供高密度、高效率的解決方案
封裝:QFN-21產(chǎn)品說明:600V CoolGaN? 集成功率級(jí) (IPS) 可提供高密度、高效率的解決方案
封裝:QFN-28產(chǎn)品說明:600V CoolGaN? 集成功率級(jí) (IPS) 可提供高密度、高效率的解決方案
封裝:QFN-28產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 半橋 1200 V 800 A 底座安裝 AG-62MM
封裝:MODULE產(chǎn)品說明:采用 DirectFET L8 封裝的 40V 汽車單 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
封裝:DirectFET-L8電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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