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產(chǎn)品說明:采用 OptiMOS?-7 技術的 60 A、40 V 汽車功率 MOSFET
封裝:PG-TSDSON-8產(chǎn)品說明:40V,N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-WHSON-8
封裝:PG-WHSON-8產(chǎn)品說明:采用 OptiMOS?-7 技術的 60 A、40 V 汽車功率 MOSFET
封裝:PG-TSDSON-8產(chǎn)品說明:30V,N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-WHSON-8
封裝:PG-WHSON-8產(chǎn)品說明:OptiMOS? 功率 MOSFET 40 V,采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝,具有極低的 RDS(on)
封裝:PG-WHTFN-9產(chǎn)品說明:250 A、40 V、采用 OptiMOS?-7 技術的汽車功率 MOSFET
封裝:PG-HSOG-4產(chǎn)品說明:25V,N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-WHSON-8
封裝:PG-WHSON-8產(chǎn)品說明:采用 OptiMOS?-7 技術的 60 A、40 V 汽車功率 MOSFET
封裝:PG-TSDSON-8產(chǎn)品說明:25V,N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-WHTFN-9
封裝:PG-WHTFN-9產(chǎn)品說明:用于 L1/L2/L5 GNSS 應用的寬帶低功耗低噪放大器LNA IC
封裝:PG-TSNP-6產(chǎn)品說明:1200V,520A HybridPACK? Drive G2 模塊
封裝:模塊產(chǎn)品說明:HybridPACK? Drive G2 CoolSiC? - 緊湊型 1200V/310A B6 橋功率模塊
封裝:模塊產(chǎn)品說明:1200V、40A、EasyPACK? 2B 三電平 IGBT 模塊
封裝:模塊產(chǎn)品說明:碳化硅 CoolSiC? MOSFET - 750V CoolSiC? 汽車MOSFET 晶體管
封裝:PG-TO247-4產(chǎn)品說明:碳化硅 MOSFET 模塊 - 3.3kV、CoolSiC? MOSFET 半橋模塊
封裝:模塊產(chǎn)品說明:碳化硅 MOSFET 模塊 - 3.3kV、CoolSiC? MOSFET 半橋模塊
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