商品名稱:NCL31010MNSTWG
數(shù)據(jù)手冊:NCL31010MNSTWG.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:48-QFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NCL31010MNSTWG是onsemi以太網(wǎng)供電協(xié)會的成員PoE?PD (Powered Device)產(chǎn)品系列,集成IEEE802.3bt PoE - PD接口控制器,雙降壓轉(zhuǎn)換器和a降壓轉(zhuǎn)換LED驅(qū)動器。集成了所有在PoE系統(tǒng)內(nèi)運行所需的功能,如檢測,浪涌階段的分類和限流。包含同步降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器主3.3 V系統(tǒng)電源以及輔助電源。此外,還集成了電流模式降壓DC/DC控制器設(shè)計成LED驅(qū)動器。LED驅(qū)動器支持這兩種PWM調(diào)光和高帶寬模擬調(diào)光。
產(chǎn)品屬性
類型:DC DC 控制器
拓?fù)洌航祲?/span>
內(nèi)部開關(guān):無
輸出數(shù):1
電壓 - 供電(最低):24V
電壓 - 供電(最高):57V
電壓 - 輸出:4V ~ 38V
電流 - 輸出/通道:3A
頻率:44.4kHz ~ 1MHz
調(diào)光:模擬,PWM
應(yīng)用:通用
工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:48-VFQFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝:48-QFN(7x7)
應(yīng)用
● LED聯(lián)網(wǎng)照明
● 可見光通信
● 室內(nèi)定位
● 多通道LED照明
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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