商品名稱:NCV51513ABMNTWG
數(shù)據(jù)手冊:NCV51513ABMNTWG.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:10-VFDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NCV51513ABMNTWG 是一款 130 V 半橋驅(qū)動器,具有高驅(qū)動電流能力,可用于 DC-DC 電源和逆變器。它在高工作頻率下具有同類最佳的傳播延遲、低靜態(tài)電流和低開關電流。
產(chǎn)品特性
高電壓范圍: 高達 130 V
dV/dt 抗擾度高達 50 V/ns
輸出源 / 灌電流能力 2.0 A / 3.0 A
上升/下降時間 1 nF 負載時為 9 ns / 7 ns
獨立邏輯輸入 3.3 V 和 5 V 兼容
使能輸入
傳播延遲 Ay 版本 50 ns,By 版本 20 ns
輸入濾波時間 Ay 版本為 30 ns,By 版本無濾波
死區(qū)時間選項
無死區(qū)時間(xA 版本)
內(nèi)部固定 80 ns 死區(qū)時間(xB 版本)
防止輸入交叉?zhèn)鲗?/span>
允許的負橋引腳電壓擺幅擴展至 -10 V @ Vcc = 10 V
兩個通道之間的匹配傳播延遲最大為 11 ns
雙通道獨立欠壓鎖定 (UVLO)
這是一款無鉛器件
典型應用
48 V 汽車 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
車載充電器
電動轉(zhuǎn)向
48 V BSB 和 ISG
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:大部分商品信息中都有標注貨期,您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間,具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時鐘或數(shù)據(jù)接收器,可接受 AnyLevelTM 輸入信號: LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅固且具有成本效益的場停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關應用中提供卓越的性能,具有低導通狀態(tài)電壓和最小的開關損耗,優(yōu)化了在汽車應用中硬開關和軟開關拓撲的性能。技術(shù)…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅固、高性價比的場終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關應用中提供出色的性能。低導通電壓和最小開關損耗在汽車應用中提供最佳的硬開關和軟開關拓撲性能。技術(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應用于電力電子設備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開關和導通損耗,可在太陽能逆變器、UPS和ESS等各種應用中實現(xiàn)高效率運行。技術(shù)規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機預驅(qū)動器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅(qū)動應用設計。電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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