商品名稱:NTMTS0D4N04CLTXG
數(shù)據手冊:NTMTS0D4N04CLTXG.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:PQFN-88-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
此 N 溝道 NTMTS0D4N04CLTXG MOSFET 是使用安森美半導體先進的 Power Trench 工藝生產的,該工藝結合了屏蔽門極技術。此工藝經過了優(yōu)化,可最大程度降低導通電阻,同時使用業(yè)內最佳的軟體二極管來保持出色的開關性能。
產品屬性
FET 類型: N 通道
技術: MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :79.8A(Ta),553.8A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值): 0.4 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 341 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 20600 pF @ 20 V
功率耗散(最大值): 5W(Ta),244W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應商器件封裝: 8-DFNW(8.3x8.4)
封裝/外殼: 8-PowerTDFN
典型應用
電動工具、電池驅動真空吸塵器
無人機/無人駕駛飛機、材料處理
BMS/ 存儲、家庭自動化
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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NCV33202VDR2G
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FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應用于電力電子設備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
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