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NTMYS1D2N04CLTWG是一款小尺寸、設計緊湊的MOSFET，具有低RDS(on) 和低電容。低RDS(on) 值可最大限度降低導通損耗，低電容可最大限度降低驅動器損耗。這些單N溝道功率MOSFET不含鉛，符合RoHS指令，工作溫度范圍為- 55°C至175°。

產品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：44A（Ta），258A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.2 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 180μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：109 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：6330 pF @ 20 V

功率耗散（最大值）：3.9W（Ta），134W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：LFPAK4（5x6）

封裝/外殼：SOT-1023，4-LFPAK

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