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NVBG160N120SC1 160mΩ SiC MOSFET與硅器件相比，具有更好的開關性能和更高的可靠性。該MOSFET具有1200V漏極-源極電壓 (VDSS) 和19.5A最大電容漏極電流 (ID)。具有低導通電阻，采用緊湊的芯片尺寸，可確保低電容和柵極電荷。該MOSFET具有高效率、更快工作頻率、高功率密度、低電磁干擾 (EMI) 以及較小的系統(tǒng)尺寸等特性。符合汽車應用標準，例如汽車車載充電器和汽車用直流/直流轉換器（用于EV/HEV），符合AEC-Q101標準。

產品屬性

FET 類型：N 通道

技術：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：19.5A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：224毫歐 @ 12A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4，3V @ 2，5mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：33.8 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+25V，-15V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：678 pF @ 800 V

功率耗散（最大值）：136W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：D2PAK-7

封裝/外殼：TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA

應用

● 車載充電器

● 電動汽車 (EV )/混合電動汽車 (HEV) 用汽車直流/直流轉換器

● 逆變器

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