商品名稱：NTMFS6H864NLT1G
數(shù)據(jù)手冊(cè)：
NTMFS6H864NLT1G.PDF
品牌：ON
年份：23+
封裝：5-DFN
貨期：全新原裝
庫(kù)存數(shù)量：1000 件
NTMFS6H864NLT1G 是 80V、29mΩ 22A 單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。
產(chǎn)品特性
小尺寸（5x6 毫米）
低 RDS（導(dǎo)通）
低 QG 和電容
這些器件無鉛，符合 RoHS 規(guī)范
終端產(chǎn)品
電源
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
USB C 型適配器
應(yīng)用
同步整流
電機(jī)開關(guān)
負(fù)載開關(guān)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時(shí)鐘或數(shù)據(jù)接收器，可接受 AnyLevelTM 輸入信號(hào)： LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。
AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認(rèn)證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ，具有堅(jiān)固且具有成本效益的場(chǎng)停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能，具有低導(dǎo)通狀態(tài)電壓和最小的開關(guān)損耗，優(yōu)化了在汽車應(yīng)用中硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)涞男阅?。技術(shù)…
AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT)，它采用堅(jiān)固、高性價(jià)比的場(chǎng)終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供出色的性能。低導(dǎo)通電壓和最小開關(guān)損耗在汽車應(yīng)用中提供最佳的硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)湫阅?。技術(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…
FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ，主要應(yīng)用于電力電子設(shè)備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格：配置：Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V集電極—射極飽和電壓：1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓：- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流：80 APd-功率耗散：115 W…
FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場(chǎng)終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能，具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗，可在太陽(yáng)能逆變器、UPS和ESS等各種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效率運(yùn)行。技術(shù)規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括：配置：Single集電極—發(fā)射極…
LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor） 推出的一款三相無刷直流（BLDC）電機(jī)預(yù)驅(qū)動(dòng)器，專為汽車電子、工業(yè)控制及消費(fèi)類電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)。電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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