商品名稱:PSMN0R7-25YLDX
數(shù)據(jù)手冊(cè):PSMN0R7-25YLDX.pdf
品牌:Nexperia
年份:23+
封裝:LFPAK56
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
PSMN0R7-25YLDX 25V N溝道增強(qiáng)型MOSFET采用LFPAK56封裝,器件提供通常與集成肖特基或類肖特基二極管的MOSFET相關(guān)的高效率、低尖峰性能,但沒有高泄漏電流問題。此器件特別適合高開關(guān)頻率下的高效率應(yīng)用。
規(guī)格
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):25 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):300A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):0.72 毫歐 @ 25A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):110.2 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):8320 pF @ 12 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):158W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56; Power-SO8
封裝/外殼:SOT-1023,4-LFPAK
基本產(chǎn)品編號(hào):PSMN0R7
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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安世半導(dǎo)體(中國)有限公司 Nexperia是全球領(lǐng)先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專業(yè)制造商。公司于2017年初獨(dú)立。Nexperia極為重視效率,生產(chǎn)大批量性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件,每年生產(chǎn)1,000多億件性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件。公司擁有豐富的產(chǎn)品組合,能夠滿足汽車…
PSC2065JJ
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