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BUK7Y2R0-40HX  N通道40V Trench 9 MOSFET將低壓超級結(jié)技術(shù)與先進(jìn)的封裝設(shè)計相結(jié)合，以實現(xiàn)高性能和耐用性。該器件具有較高的功率密度和效率，以及出色的單觸發(fā)或重復(fù)性雪崩性能。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：120A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：2 毫歐 @ 25A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：90.5 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：+20V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：5450 pF @ 25 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：217W（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：LFPAK56，Power-SO8

封裝/外殼：SC-100，SOT-669

基本產(chǎn)品編號：BUK7Y2

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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