商品名稱:NVH4L040N120SC1
數(shù)據(jù)手冊:NVH4L040N120SC1.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:TO-247-4L
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NVH4L040N120SC1采用全新技術(shù),與硅器件相比,具有更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。這些MOSFET具有低導(dǎo)通電阻,可確保低電容和低柵極電荷。1200V EliteSiC MOSFET可實(shí)現(xiàn)的系統(tǒng)優(yōu)勢包括提高效率、加快工作頻率、提高功率密度、降低EMI以及減小系統(tǒng)尺寸。這些MOSFET具有阻斷電壓、高速開關(guān)、低電容等特性,工作溫度范圍為-55°C至175°C。1200V SiC MOSFET符合汽車AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)和RoHS指令。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):1200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):58A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):20V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):56毫歐 @ 35A,20V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4,3V @ 10mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):106 nC @ 20 V
Vgs(最大值):+25V,-15V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1762 pF @ 800 V
功率耗散(最大值):319W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:TO-247-4L
封裝/外殼:TO-247-4
應(yīng)用
● 車載充電器
● 用于電動汽車/混合動力汽車的車載 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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NCV33202VDR2G
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NB6N11SMNG是差分 1:2 時(shí)鐘或數(shù)據(jù)接收器,可接受 AnyLevelTM 輸入信號: LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。AFGH4L25T120RWD
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FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應(yīng)用于電力電子設(shè)備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
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