商品名稱:S29GL01GT10TFI010
數(shù)據(jù)手冊:S29GL01GT10TFI010.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:56-TFSOP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
S29GL01GT10TFI010 MIRRORBIT? 閃存產(chǎn)品采用 45 納米工藝技術制造。它的頁面訪問時間快至 15 ns,相應的隨機訪問時間快至 100 ns。它具有一個寫入緩沖器,允許在一次操作中對最多 256 個字/512 個字節(jié)進行編程,從而使有效編程時間比標準編程算法更快。
產(chǎn)品屬性
存儲器類型 非易失
存儲器格式 閃存
技術 FLASH - NOR
存儲容量 1Gb
存儲器組織 128M x 8
存儲器接口 并聯(lián)
寫周期時間 - 字,頁 60ns
訪問時間 100 ns
電壓 - 供電 2.7V ~ 3.6V
工作溫度 -40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型 表面貼裝型
封裝/外殼 56-TFSOP(0.724",18.40mm 寬)
供應商器件封裝 56-TSOP
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側和低壓側柵極驅(qū)動器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側電源開關,采用 SIPMOS 技術 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負載 的電源管理應用。電話咨詢:86-755-83294757
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