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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號(hào):IMZA65R072M1H

商品名稱:IMZA65R072M1H

數(shù)據(jù)手冊(cè):IMZA65R072M1H.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:TO247-4

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:5800

數(shù)量:
在線詢價(jià)

聯(lián)系人:

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號(hào)
IMZA65R072M1H
封裝
TO247-4
描述
650V CoolSiC? MOSFET – 碳化硅(SiC)MOSFET 采用 TO247 4 引腳封裝,性能可靠且經(jīng)濟(jì)高效

產(chǎn)品描述

IMZA65R072M1H CoolSiC? MOSFET 技術(shù)通過最大限度地發(fā)揮碳化硅強(qiáng)大的物理特性,從而增強(qiáng)了設(shè)備性能、穩(wěn)健性和易用性等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。


產(chǎn)品屬性

系列: CoolSiC?  

包裝: 管件  

FET 類型: N 通道  

技術(shù): SiCFET(碳化硅)  

漏源電壓(Vdss): 650 V  

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :28A(Tc)  

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 18V  

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 94 毫歐 @ 13.3A,18V  

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 5.7V @ 4mA  

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 22 nC @ 18 V  

Vgs(最大值): +23V,-5V  

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 744 pF @ 400 V  

FET 功能: -  

功率耗散(最大值): 96W(Tc)  

工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)  

安裝類型: 通孔  

供應(yīng)商器件封裝: PG-TO247-4-3  

封裝/外殼: TO-247-4


潛在應(yīng)用

服務(wù)器

電信系統(tǒng)

SMPS

太陽能系統(tǒng)

儲(chǔ)能和電池信息

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電動(dòng)汽車充電

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常見問題

  • 1.平臺(tái)上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

  • 2.公司商品都是原裝正品嗎?

    答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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    答:可以通過網(wǎng)站上詢價(jià),也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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