商品名稱:IPDD60R055CFD7
數(shù)據(jù)手冊:IPDD60R055CFD7.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-HDSOP-10-1
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IPDD60R055CFD7 MOSFET非常適合用于諧振大功率拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),采用高壓超級結(jié)MOSFET技術(shù)。這些MOSFET內(nèi)置快速體二極管,完善了CoolMOS 7系列。典型的大功率SMPS應(yīng)用包括服務(wù)器、電信和電動汽車充電站。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):52A(Tc)
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):55 毫歐 @ 15.1A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 760μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):67 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2724 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):329W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-HDSOP-10-1
封裝/外殼:10-PowerSOP 模塊
應(yīng)用
● 服務(wù)器
● 電信
● EV充電
● SMPS
● PC電源
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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