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IPW60R037CSFD是專門針對板外EV 充電細分市場而設計的優(yōu)化器件。此外，它還配備了一個集成的電池體二極管，并大大降低了反向恢復電荷（Qrr），從而使其在諧振拓撲結(jié)構(gòu)中具有最高的可靠性。這些特點滿足了板載電子鎮(zhèn)流器的效率和可靠性標準，并且它還支持高功率密度解決方案。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：54A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：37 毫歐 @ 32.6A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 1.63mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：136 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：5623 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：245W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：PG-TO247-3

封裝/外殼：TO-247-3

應用

● 適用于軟硬開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)

● 優(yōu)化用于移相全橋（ZVS）、LLC&PFCA 應用-EV充電

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