商品名稱:NTP150N65S3HF
數據手冊:NTP150N65S3HF.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:TO-220-3
貨期:全新原裝
庫存數量:1000 件
NTP150N65S3HF是安森美半導體全新的高電壓超級結(SJ)MOSFET系列,具有出色的低導通電阻和更低的柵極電荷性能。這一先進技術可最大限度地降低傳導損耗,提供卓越的開關性能,并能承受極高的 dv/dt 率。因此,SUPERFET III MOSFET 非常適合各種電源系統(tǒng),可實現小型化和高效率。優(yōu)化了體二極管的反向恢復性能可去除額外元件,提高系統(tǒng)可靠性。
產品屬性
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):24A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):150 毫歐 @ 12A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5V @ 540μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):43 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1985 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):192W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應商器件封裝:TO-220-3
封裝/外殼:TO-220-3
應用
● 電信/服務器電源
● 工業(yè)電源
● 電動汽車充電器
● UPS / 太陽能
型號
品牌
封裝
數量
描述
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NB6N11SMNG是差分 1:2 時鐘或數據接收器,可接受 AnyLevelTM 輸入信號: LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅固且具有成本效益的場停止 VII 溝槽結構。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關應用中提供卓越的性能,具有低導通狀態(tài)電壓和最小的開關損耗,優(yōu)化了在汽車應用中硬開關和軟開關拓撲的性能。技術…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅固、高性價比的場終止型VII溝槽結構。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關應用中提供出色的性能。低導通電壓和最小開關損耗在汽車應用中提供最佳的硬開關和軟開關拓撲性能。技術參數AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應用于電力電子設備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
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LB11600JV-TLM-E 是安森美半導體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機預驅動器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅動應用設計。電話咨詢:86-755-83294757
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