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商品名稱(chēng):AIHD06N60RF
數(shù)據(jù)手冊(cè):AIHD06N60RF.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-252-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1200 件
AIHD06N60RF 單通道 IGBT 晶體管 - 帶集成二極管的 IGBT 溝槽場(chǎng)截止封裝,具有節(jié)省空間的優(yōu)勢(shì)。
產(chǎn)品屬性
IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):12 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):18 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,6A
功率 - 最大值:100 W
開(kāi)關(guān)能量:90μJ(開(kāi)),90μJ(關(guān))
輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷:48 nC
25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:8ns/105ns
測(cè)試條件:400V,6A,23 歐姆,15V
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO252-3-313
應(yīng)用
小型驅(qū)動(dòng)器
壓電注射
汽車(chē)照明/HID
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IDW10G120C5B
IDW10G120C5B一款 1200V、10A 碳化硅(SiC)肖特基二極管,屬于 CoolSiC? 第五代 產(chǎn)品系列,采用 TO-247-3 封裝BSZ42DN25NS3G
BSZ42DN25NS3G 250V OptiMOS? 3 N 溝道功率 MOSFET 晶體管是性能領(lǐng)先的基準(zhǔn)技術(shù),完全適用于 48V 系統(tǒng)中的同步整流、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、不間斷電源 (UPS) 和直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的逆變器。BSZ42DN25NS3G 的規(guī)格晶體管極性:N 溝道通道數(shù):1 通道Vds - 漏極-源極擊穿電壓:250 VId…CY91F587LBPMC-GTE1
CY91F587LBPMC-GTE1 是32 位 FR81S 系列單核微控制器,具有 128MHz 的主頻、1.0625MB 的閃存(1.0625M x 8)、96KB 的 RAM 和 24 通道的 12 位 ADC。IPD14N06S2-80
IPD14N06S2-80 是 55V 80mΩ OptiMOS? N 溝道汽車(chē) MOSFET 晶體管。IPD14N06S2-80 的特性N 溝道 - 增強(qiáng)模式通過(guò)汽車(chē) AEC Q101 認(rèn)證MSL1 峰值回流溫度高達(dá) 260C175C 工作溫度綠色封裝(無(wú)鉛)超低 Rds(on)100% 雪崩測(cè)試IPD14N06S2-80 的優(yōu)勢(shì)在 55V(導(dǎo)通)電壓下,為平面技…IRF1310NPBF
IRF1310NPBF是一款100V 單 N 通道功率 MOSFET,采用 TO-220 封裝。電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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