商品名稱:STGF4M65DF2
數(shù)據(jù)手冊(cè):STGF4M65DF2.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:TO-220FP
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
STGF4M65DF2 650V IGBT是采用先進(jìn)的專有溝槽柵極場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)開發(fā)的IGBT。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能和效率之間的最佳平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。
產(chǎn)品屬性
IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):8 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):16 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,4A
功率 - 最大值:23 W
開關(guān)能量:40μJ(開),136μJ(關(guān))
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷:15.2 nC
25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:12ns/86ns
測(cè)試條件:400V,4A,47 歐姆,15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):133 ns
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 整包
供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP
基本產(chǎn)品編號(hào):STGF4
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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