商品名稱:HMC385LP4E
數(shù)據(jù)手冊(cè):HMC385LP4E.pdf
品牌:ADI
年份:23+
封裝:24-VFQFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
HMC385LP4E 是砷化鎵 InGaP異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 (HBT) MMIC VCO集成了諧振器、負(fù)阻器件、變?nèi)荻O管和緩沖放大器。VCO 的相位噪聲范圍為 2.25 至 2.5 GHz,在溫度、沖擊、振動(dòng)和溫度變化條件下均表現(xiàn)出色。在溫度、沖擊由于振蕩器采用單片式結(jié)構(gòu),其相位噪聲性能在溫度、沖擊、振動(dòng)和工藝條件下都非常出色。典型輸出功率為 4.5 dBm,單電源電壓為 3V @ 35m。
產(chǎn)品屬性
頻率:2.25GHz ~ 2.5GHz
電壓 - 供電:3V
電流 - 供電:35mA
測(cè)試頻率:2.5GHz
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:24-VFQFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝:24-QFN(4x4)
應(yīng)用
● 無線基礎(chǔ)設(shè)施
● 工業(yè)控制
● 測(cè)試設(shè)備
● 軍用
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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亞德諾半導(dǎo)體全稱為亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(Analog Devices, Inc.)簡(jiǎn)稱(ADI)。是一家專營(yíng)半導(dǎo)體傳感器和信號(hào)處理ic的卓越的供應(yīng)商,adi將創(chuàng)新、業(yè)績(jī)和卓越作為企業(yè)的文化支柱,并基此成長(zhǎng)為該技術(shù)領(lǐng)域最持久高速增長(zhǎng)的企業(yè)之一。亞德諾半導(dǎo)體是業(yè)界廣泛認(rèn)可的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)…
LTC3315BMPV
LTC3315BMPV是一款雙通道、5V、2A同步降壓型 DC/DC轉(zhuǎn)換器 ,采用2mm x 2mm LQFN封裝 ,適用于具有嚴(yán)苛性能要求和空間限制的應(yīng)用場(chǎng)景??。特點(diǎn)LTC3315BMPV的主要特點(diǎn)包括:雙路輸出,每路均可提供2A輸出電流高效率:19mΩ NMOS和75mΩ PMOS寬帶寬、快速瞬態(tài)響應(yīng)開關(guān)頻率同…LTC3315BJV
LTC3315BJV器件是一款雙通道、5V、2A同步降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器,采用2mm x 2mm LQFN封裝。兩個(gè)降壓轉(zhuǎn)換器在高達(dá)10MHz的開關(guān)頻率下使用恒定頻率峰值電流模式控制,最小接通時(shí)間低至25ns,可在小尺寸的應(yīng)用封裝中實(shí)現(xiàn)高效率和快速瞬態(tài)響應(yīng)。此外,LTC3315BJV的應(yīng)用領(lǐng)域包括服務(wù)…LTC3315BIV
LTC3315BIV是一款具有雙2A單片同步降壓型轉(zhuǎn)換器,依靠2.25V至5.5V輸入電源運(yùn)行,并且采用的封裝適用于空間受限并具有苛刻性能要求的應(yīng)用。其主要特性和規(guī)格包括:拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):Boost輸出電壓:500 mV to 5.5 V輸出電流:2 A輸出端數(shù)量:2 Output輸入電壓 - 最小值:2.25 V輸…LTC3315BHV
LTC3315BHV同步降壓轉(zhuǎn)換器是采用單一封裝的雙路2A單片同步降壓轉(zhuǎn)換器,工作輸入電壓為2.25V至5.5V。因此,該轉(zhuǎn)換器非常適合用于具有嚴(yán)苛性能要求的空間受限應(yīng)用。該器件采用恒定頻率和峰值電流模式控制,開關(guān)頻率高達(dá)3MHz,最短導(dǎo)通時(shí)間為25ns。這樣,兩個(gè)降壓裝置均可在…LTC3315BEV
LTC3315BEV是一款雙路2A單片同步降壓轉(zhuǎn)換器,工作輸入電壓范圍為2.25V至5.5V,適用于具有嚴(yán)苛性能要求的空間受限應(yīng)用。該轉(zhuǎn)換器采用恒定頻率和峰值電流模式控制,開關(guān)頻率高達(dá)3MHz,最短導(dǎo)通時(shí)間為25ns,能夠在非常小的應(yīng)用占位內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效率和快速瞬態(tài)響應(yīng)?。其主要參數(shù)…LTC4412IS6
LTC4412IS6 可控制一個(gè)外部 P 溝道 MOSFET,為電源切換或負(fù)載分擔(dān)創(chuàng)建近乎理想的二極管功能。這允許對(duì)多個(gè)電源進(jìn)行高效 ORing,以延長(zhǎng)電池壽命和降低自熱。導(dǎo)通時(shí),MOSFET 上的壓降通常為 20mV。對(duì)于使用壁式適配器或其他輔助電源的應(yīng)用,當(dāng)連接輔助電源時(shí),負(fù)載會(huì)自動(dòng)從…電話咨詢:86-755-83294757
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