商品名稱：STM32WLE4C8U6
數(shù)據(jù)手冊：
STM32WLE4C8U6.pdf
品牌：ST
年份：23+
封裝：UFQFPN-48
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：3000 件
STM32WLE4C8U6 是嵌入功能強(qiáng)大和超低功耗LPWAN兼容無線電解決方案的長距離無線和超低功耗器件，具有(G)FSK、(G)MSK和BPSK調(diào)制。該器件基于高性能ARM? Cortex?-M4 32位RISC內(nèi)核，ARM內(nèi)核執(zhí)行全套DSP指令和獨(dú)立存儲保護(hù)單元 (MPU)，增強(qiáng)應(yīng)用安全性。
產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品類型：射頻微控制器 - MCU
核心：ARM Cortex M4
工作頻率：150MHz ~ 960MHz
數(shù)據(jù)總線寬度：32 bit
程序存儲器大?。?4 kB
數(shù)據(jù) RAM 大小：64 kB
最大時鐘頻率：48 MHz
ADC分辨率：12 bit
電源電壓：1.8V ~ 3.6V
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：48-UFQFPN (7x7)
工作溫度：-40°C ~ 85°C
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。
答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認(rèn)。
答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間，具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)于1987年成立，是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%；營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT，其采用先進(jìn)的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分，代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡，其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外，它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…
STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進(jìn)專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件，屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷，以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C，具有無尾關(guān)斷特性，飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V（典型值），并且參數(shù)分布緊…
STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件，其采用先進(jìn)的專有溝柵場運(yùn)算結(jié)構(gòu)開發(fā)，旨在實現(xiàn)傳導(dǎo)和開關(guān)損耗之間的最佳折衷，以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下：技術(shù)規(guī)格IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V電流…
STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT，具有低損耗和短路功能，特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格：IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集…
STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT，因其低損耗和短路功能，STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場景如下：技術(shù)規(guī)格IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V電流 - 集電極 (I…
STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)，旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開關(guān)損耗的平衡，從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下：技術(shù)規(guī)格IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V電…電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時間：9:00-18:00
聯(lián)系郵箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達(dá)電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接:
