商品名稱:FUSB15201VMNWTWG
數(shù)據(jù)手冊:FUSB15201VMNWTWG.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:24-VFQFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
FUSB15201VMNWTWG雙端口USB Type-C ? 和PD控制器非常適合用于汽車和工業(yè)應用的電源管理。 具有優(yōu)化的硬件外設以及完全開源的嵌入式固件,是一套完整的USB電源解決方案。 開源嵌入式固件解決方案從各種硬件外設中獲取輸入。系統(tǒng)級USB-PD標識符提供跨端口最佳功率共享,同時保持在總功率范圍內(nèi)。
特性
● 小尺寸雙端口USB PD控制器,支持流行外設
● USB PD 3.1和USB Type-C 2.1
● I2C主/從模式
● 雙USB BC1.2提供商仿真
● 完全可編程且可升級的開源固件為特定設備策略管理器的開發(fā)提供API
● CC和D+/-引腳上的高壓保護
● 通過USB Type-C支持固件升級
● 10位ADC,用于精確監(jiān)控總線電壓 (VBUS)、外部溫度和電壓
● 通過NTC電阻進行外部溫度監(jiān)測
● 24引腳QFNW封裝 (4mm x 4mm、0.5mm間距)
● 符合AEC-Q100 2級標準
● 這些都是不含鉛的器件
應用
● 汽車
● 電源插座
● 壁式充電器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅(qū)動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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