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NVMYS4D1N06CLTWG 是一款采用5x6mm LFPAK封裝的汽車用60V、100A 功率MOSFET，專為緊湊高效設(shè)計而設(shè)計，具有高散熱性能。符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的MOSFET和PPAP，適用于需要增強板級可靠性的汽車應(yīng)用。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：22A（Ta），100A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：4 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 80μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：34 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2200 pF @ 25 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.7W（Ta），79W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等級：汽車級

資質(zhì)：AEC-Q101

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：LFPAK4（5x6）

封裝/外殼：SOT-1023，4-LFPAK

基本產(chǎn)品編號：NVMYS4

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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