商品名稱:FPF2188UCX
數(shù)據(jù)手冊:FPF2188UCX.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:WLCSP-6
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
FPF2188UCX是一款帶集成低導(dǎo)通電阻單溝道開關(guān)的 OVP。該器件包含一個(gè) N-MOSFET,可在 2.8V 至 23V 的輸入電壓范圍內(nèi)運(yùn)行,并可支持 4A 的最大連續(xù)電流。當(dāng)輸入電壓超過過壓閾值時(shí),內(nèi)部 FET 立即關(guān)閉,以防止損壞受保護(hù)的下游組件。采用小型 6 凸塊 WLCSP 封裝,-40°C 到 +85°C 的大氣溫度范圍內(nèi)運(yùn)行。
功能
● 過壓保護(hù)高達(dá) +28 V
● 內(nèi)部低 RDS(導(dǎo)通)NMOS 晶體管: 典型值 25 m
● 可編程過壓鎖定 (OVLO)
● 可通過 OVLO 引腳進(jìn)行外部調(diào)節(jié)
● 器件的低電平有效使能引腳 (OVLO)
● 超快 OVLO 響應(yīng)時(shí)間:典型值 40 ns
● 短路保護(hù)和自動(dòng)重啟
● 過溫保護(hù)(熱關(guān)斷)
● 穩(wěn)健的 ESD 性能
● 2 kV 人體模型 (HBM)
● 1 kV 充電器件模型 (CDM)
● 浪涌事件期間 VIN 可容忍 35 V 的殘余電壓
● 這些器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑,并符合 RoHS 規(guī)范。
應(yīng)用
● 移動(dòng)電話
● 掌上電腦
● 全球定位系統(tǒng)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號(hào):NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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