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NVBG095N65S3F N溝道SUPERFET? III MOSFET是一款高壓超級結(jié)(SJ) MOSFET，采用電荷平衡技術(shù)。該功率MOSFET具有更低的導(dǎo)通損耗、出色的開關(guān)性能，并可承受極端dv/dt速率。該產(chǎn)品優(yōu)化了體二極管的反向恢復(fù)性能，無需額外元件，提高了系統(tǒng)可靠性。這款MOSFET符合AEC?Q101標準，具有PPAP功能，無鉛，符合RoHS指令。典型應(yīng)用包括汽車車載充電器和BEV用汽車DC/DC轉(zhuǎn)換器。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：36A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：95 毫歐 @ 18A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 860μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：66 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3020 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：272W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

等級：汽車級

資質(zhì)：AEC-Q101

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：D2PAK-7

封裝/外殼：TO-263-8，D2PAK（7 引線 + 凸片），TO-263CA

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