商品名稱：MSCSM120HRM08NG
品牌：Microchip
年份：24+
封裝：Module
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
MSCSM120HRM08NG 器件是一款 T 型碳化硅 (SiC) MOSFET 功率模塊，其相腳電壓為 1200V，電流為 317A，雙共源電壓為 700V，電流為 227A、317A 和雙共源 700V、227A。采用碳化硅功率 MOSFET，低 RDS（導通），高溫性能，開爾文源，易于驅(qū)動。
產(chǎn)品屬性
技術：碳化硅（SiC）
配置：4 個 N 通道（三級反相器）
FET 功能：碳化硅（SiC）
漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV），700V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：317A（Tc），227A（Tc）
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：7.8 毫歐 @ 160A，20V，9.5 毫歐 @ 80A，20V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 12mA，2.4V @ 8mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：928nC @ 20V，430nC @ 20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：12100pF @ 1000V，9000pF @ 700V
功率 - 最大值：1.253kW（Tc），613W（Tc）
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：底座安裝
封裝/外殼：模塊
應用
●太陽能逆變器
●三電平逆變器
●不間斷電源
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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