商品名稱:MOSFET 晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-TO263-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IMBG120R017M2H采用 D2PAK-7L (TO-263-7) 封裝的 CoolSiC? MOSFET 1200 V、17 mΩ G2 在第 1 代技術(shù)優(yōu)勢的基礎(chǔ)上,加快了成本優(yōu)化、高效、緊湊和可靠解決方案的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。在硬開關(guān)操作和軟開關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵性能指標(biāo)上都有顯著改進(jìn),適用于所有常見的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 級組合。
特性
? Tvj = 25°C 時(shí),VDSS = 1200 V
? TC = 100°C 時(shí),IDDC = 76 A
? VGS = 18 V、Tvj = 25°C 時(shí),RDS(on)= 17.1 mΩ
? 開關(guān)損耗極低
? 過載工作溫度可達(dá) Tvj = 200°C
? 短路耐受時(shí)間 2 μs
? 基準(zhǔn)柵極閾值電壓 VGS(th) = 4.2 V
? 可防止寄生導(dǎo)通,可采用 0 V 關(guān)斷柵極電壓
? 堅(jiān)固的體二極管可實(shí)現(xiàn)硬換向
? 采用 .XT 互連技術(shù),具有同類最佳的散熱性能
應(yīng)用
? 電動汽車充電
? 在線 UPS/工業(yè) UPS
? 太陽能優(yōu)化器
? 組串逆變器
? 通用驅(qū)動器 (GPD)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IDW10G120C5B
IDW10G120C5B一款 1200V、10A 碳化硅(SiC)肖特基二極管,屬于 CoolSiC? 第五代 產(chǎn)品系列,采用 TO-247-3 封裝BSZ42DN25NS3G
BSZ42DN25NS3G 250V OptiMOS? 3 N 溝道功率 MOSFET 晶體管是性能領(lǐng)先的基準(zhǔn)技術(shù),完全適用于 48V 系統(tǒng)中的同步整流、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、不間斷電源 (UPS) 和直流電機(jī)驅(qū)動器的逆變器。BSZ42DN25NS3G 的規(guī)格晶體管極性:N 溝道通道數(shù):1 通道Vds - 漏極-源極擊穿電壓:250 VId…CY91F587LBPMC-GTE1
CY91F587LBPMC-GTE1 是32 位 FR81S 系列單核微控制器,具有 128MHz 的主頻、1.0625MB 的閃存(1.0625M x 8)、96KB 的 RAM 和 24 通道的 12 位 ADC。IPD14N06S2-80
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IRF1310NPBF是一款100V 單 N 通道功率 MOSFET,采用 TO-220 封裝。電話咨詢:86-755-83294757
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