商品名稱:NCL30060B2DR2G
數(shù)據(jù)手冊:NCL30060B2DR2G.PDF
品牌:ON
年份:17+18+
封裝:SOP8
貨期:原裝現(xiàn)貨
庫存數(shù)量:20000 件
NCL30060是一款開關模式電源控制器,用于低至中等功率的單級功率因數(shù)(PF)校正LED驅動器。它采用了恒定導通時間的控制方法,以確保在廣泛的輸入電壓和輸出功率范圍內接近統(tǒng)一的功率因數(shù)。它可用于隔離反激式以及降壓拓撲結構。該器件提供了一套強大的保護功能,以確保在各種故障條件下的安全運行。
NCL30060B2版本用于恒定電壓(CV)調節(jié)輸出驅動器,其中第二級的DC-DC轉換器或線性穩(wěn)壓器控制LED的電流,因此輸出短路保護檢測器功能已被禁用。NCL30060B3版本用于不需要褐光保護或輸出短路保護的典型低待機操作的應用。NCL30060B4為不需要此功能的解決方案取消了導通時間調制。
特點
- 內置高電壓啟動電路
- 直接光電耦合器反饋連接
- 恒定開啟時間的PWM控制
- 準諧振開關
- 低工作電流(典型值1.6 mA)
- 源極250 mA / 灌極400 mA 圖騰柱門驅動器
- 集成12V(典型值)柵極驅動鉗制
- 用于降低EMI的頻率抖動
- 啟用/禁用功能
- 動態(tài)自供電(DSS)操作
- 工作溫度為-40°C至105°C
- 最大接通時間保護
- 集成的斷電保護
- 過電壓保護
- 逐周期過電流保護
- 輸出繞組短路保護
- 熱關斷
- 這些器件不含鉛、不含鹵素/BFR,并符合RoHS標準。符合標準
典型應用
- LED照明
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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