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AIMBG75R060M1H是一款采用 TO263-7 封裝的750 V、34A汽車類碳化硅MOSFET分立器件。此器件適用于電動汽車用高壓DC-DC變換器和電動汽車車載電池充電器(OBC)。

Infineon CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導體工藝，經過優(yōu)化，可實現應用中的最低損耗和運行中的最高可靠性。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術：SiC

漏源電壓（Vdss）：750 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：34A（Tj）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，20V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：55 毫歐 @ 11.1A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 4mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：23 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+23V，-5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：779 pF @ 500 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：167W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等級：汽車級

資質：AEC-Q101

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-TO263-7

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