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NSF080120L4A0Q是一款基于碳化硅的1200 V功率MOSFET，采用通孔PCB安裝技術(shù)4引腳TO-247塑料封裝。出色的RDSon溫度穩(wěn)定性加上快速開關(guān)速度，使其成為電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施、光伏逆變器和電機驅(qū)動等高功率和高電壓工業(yè)應(yīng)用的首選產(chǎn)品。

NSF080120L4A0Q的規(guī)格：

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降時間：8 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值：9 S

Id-連續(xù)漏極電流：35 A

最大工作溫度：+ 175°C

最小工作溫度：- 55°C

安裝風格：Through Hole

通道數(shù)量：1 Channel

封裝 / 箱體：TO-247-4

Pd-功率耗散：183 W

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

Qg-柵極電荷：52 nC

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：120 mOhms

上升時間：13 ns

工廠包裝數(shù)量：30

子類別：Transistors

技術(shù)：SiC

晶體管極性：N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間：14 ns

典型接通延遲時間：13 ns

Vds-漏源極擊穿電壓：1.2 kV

Vgs - 柵極-源極電壓：- 10 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：2.9 V

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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