商品名稱:GaN 晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PDFN 5x6
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:250 件
GS-065-004-6-L-MR屬于 700V CoolGaN?功率晶體管是增強(qiáng)模式硅基氮化鎵功率晶體管,具有大電流、高電壓擊穿和高開關(guān)頻率特性。該GaN系統(tǒng)創(chuàng)新采用行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù),如獲得專利的Island Technology? 單元布局,實(shí)現(xiàn)了大電流裸芯和高產(chǎn)量。
GS-065-004-6-L-MR器件規(guī)格:
FET 類型: N 通道
技術(shù): GaNFET(氮化鎵)
漏源電壓(Vdss): 700 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id): 4.6A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值): 455 毫歐 @ 1.2A,6V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 2.6V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 0.8 nC @ 6 V
Vgs(最大值): +7V,-10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 26 pF @ 400 V
工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)
GS-065-004-6-L-MR產(chǎn)品應(yīng)用:
? 電源適配器
? LED 照明驅(qū)動器
? 快速電池充電
? 功率因數(shù)校正
? 家電電機(jī)驅(qū)動器
? 無線電力傳輸
? 工業(yè)電源
型號
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描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實(shí)時響應(yīng)性、計算能…S6E2H46G0AGB3000A
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2EDN8534F是英飛凌一款雙通道5A柵極驅(qū)動器IC,屬于EiceDRIVER? 2EDN系列,專為驅(qū)動標(biāo)準(zhǔn)MOSFET、超結(jié)MOSFET及寬禁帶(WBG)功率開關(guān)器件(如SiC、GaN)而優(yōu)化。IRS2181STRPBF
IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC,典型源電流為 1.9 A,灌電流為 2.3 A,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負(fù)載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢:86-755-83294757
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