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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號:GS-065-011-6-L-MR

商品名稱:GaN 晶體管

品牌:INFINEON

年份:24+

封裝:PDFN 5x6

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1250

數(shù)量:
在線詢價

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
GS-065-011-6-L-MR
封裝
PDFN 5x6
描述
GaN 場效應(yīng)晶體管 表面貼裝型 N 通道 700 V 12.2A(Tc) 8-PDFN(5x6)

產(chǎn)品描述

GS-065-011-6-L-MR 是一款增強型氮化鎵非硅功率晶體管。GaN 的特性可實現(xiàn)高電流、高電壓擊穿和高開關(guān)頻率。GaN Systems 通過業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新技術(shù),如獲得專利的 Island Technology? 單元布局,實現(xiàn)了大電流芯片和高產(chǎn)量。GS-065-011-6-L-MR 是底部冷卻型晶體管,具有極低的結(jié)殼熱阻,適用于要求苛刻的高功率應(yīng)用。這些特性結(jié)合在一起,可提供極高效率的功率開關(guān)。


應(yīng)用

電源適配器

LED照明驅(qū)動器

電池充電快

功率因數(shù)校正

工業(yè)電源

光伏

電信基礎(chǔ)設(shè)施用交流-直流電源轉(zhuǎn)換

數(shù)據(jù)中心和計算解決方案

電器和工業(yè)電機驅(qū)動器

無線功率傳輸


GS-065-011-6-L-MR產(chǎn)品屬性:

FET 類型: N 通道  

技術(shù):GaNFET(氮化鎵)  

漏源電壓(Vdss): 700 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :12.2A(Tc)  

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值): 180 毫歐 @ 3.2A,6V  

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 2.6V @ 2.4mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 2.2 nC @ 6 V  

Vgs(最大值): +7V,-10V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 70 pF @ 400 V  

工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)  

安裝類型: 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝: 8-PDFN(5x6)  

封裝/外殼: 8-PowerVDFN 

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常見問題

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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    答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。

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