商品名稱:IMZA65R107M1H
數(shù)據(jù)手冊:IMZA65R107M1H.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:10000 件
IMZA65R107M1H 650V CoolSiC? MOSFET 基于先進的溝槽半導(dǎo)體技術(shù),并經(jīng)過優(yōu)化,在毫不折衷的情況下,在應(yīng)用中實現(xiàn)最低損耗,并在運行中實現(xiàn)最佳可靠性。
英飛凌 SiC MOSFET 采用 TO247 4 引腳封裝,可降低源極寄生電感對門極電路的影響,從而加快開關(guān)速度,提高效率。
IMZA65R107M1H規(guī)格
FET 類型: N 通道
技術(shù): SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :20A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 18V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值) :142 毫歐 @ 8.9A,18V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5.7V @ 3.3mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):15 nC @ 18 V
Vgs(最大值): +23V,-5V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):496 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值):75W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型: 通孔
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO247-3-41
封裝/外殼: TO-247-4
基本產(chǎn)品編號:IMZA65
潛在應(yīng)用
服務(wù)器
電信系統(tǒng)
SMPS
太陽能系統(tǒng)
儲能和電池信息
UPS
電動汽車充電
電機驅(qū)動器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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