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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號:IMZA65R107M1H

商品名稱:IMZA65R107M1H

數(shù)據(jù)手冊:IMZA65R107M1H.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:TO-247-4

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:10000

數(shù)量:
在線詢價

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
IMZA65R107M1H
封裝
TO-247-4
描述
650V CoolSiC? MOSFET – 碳化硅(SiC)MOSFET 采用 TO247 4 引腳封裝,性能可靠且經(jīng)濟高效

產(chǎn)品描述

IMZA65R107M1H 650V CoolSiC? MOSFET 基于先進的溝槽半導(dǎo)體技術(shù),并經(jīng)過優(yōu)化,在毫不折衷的情況下,在應(yīng)用中實現(xiàn)最低損耗,并在運行中實現(xiàn)最佳可靠性。

英飛凌 SiC MOSFET 采用 TO247 4 引腳封裝,可降低源極寄生電感對門極電路的影響,從而加快開關(guān)速度,提高效率。


IMZA65R107M1H規(guī)格

FET 類型: N 通道  

技術(shù): SiCFET(碳化硅)  

漏源電壓(Vdss):650 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :20A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 18V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值) :142 毫歐 @ 8.9A,18V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5.7V @ 3.3mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):15 nC @ 18 V

Vgs(最大值): +23V,-5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):496 pF @ 400 V

FET 功能: -  

功率耗散(最大值):75W(Tc)

工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)  

安裝類型: 通孔  

供應(yīng)商器件封裝:PG-TO247-3-41

封裝/外殼: TO-247-4  

基本產(chǎn)品編號:IMZA65


潛在應(yīng)用

服務(wù)器

電信系統(tǒng)

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儲能和電池信息

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常見問題

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…

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