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IMBG120R045M1H是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封裝的1200 V, 45 mΩ CoolSiC? SiC MOSFET，它基于先進(jìn)的溝槽工藝，該工藝經(jīng)過優(yōu)化，兼具性能與可靠性。它采用改良版1200V SMD封裝，將CoolSiC技術(shù)的低功耗特性與.XT互聯(lián)技術(shù)相結(jié)合，可在電機(jī)驅(qū)動、充電模塊以及工業(yè)電源等應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最高效率和被動制冷。

產(chǎn)品屬性

系列： CoolSiC?  

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss）： 1200 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 47A（Tc）  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 63 毫歐 @ 16A，18V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 5.7V @ 7.5mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 46 nC @ 18 V  

Vgs（最大值）： +18V，-15V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 1527 pF @ 800 V  

FET 功能： 標(biāo)準(zhǔn)  

功率耗散（最大值）： 227W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝： PG-TO263-7-12  

封裝/外殼： TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA  

基本產(chǎn)品編號： IMBG120

優(yōu)勢

提高效率

實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率

增加功率密度

減少冷卻工作

降低系統(tǒng)復(fù)雜程度和成本

SMD封裝，無需增設(shè)散熱器，即可實(shí)現(xiàn)自然對流冷卻，因此可直接集成到PCB中

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

• 2.公司商品都是原裝正品嗎？

  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認(rèn)。

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  答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時間，具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。