商品名稱：SiC MOSFET 模塊
品牌：ON
年份：24+
封裝：PIM-18
貨期：全新原裝
庫(kù)存數(shù)量：1000 件
NXH008P120M3F1PG 是一款功率模塊，包含 8 m/ 1200 V SiC MOSFET 半橋和一個(gè)熱敏電阻，采用 F1 封裝。
特征：
? 8 m / 1200 V M3S SiC MOSFET 半橋
?熱敏電阻
? 可選擇帶有預(yù)涂熱界面材料 （TIM） 和不帶預(yù)涂 TIM 的選項(xiàng)
? 壓接引腳
? 這些器件不含鉛、無鹵化物，符合 RoHS 規(guī)范
應(yīng)用：
? 太陽(yáng)能逆變器
? 不間斷電源
? 電動(dòng)汽車充電站
? 工業(yè)動(dòng)力
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
1200V、HPD、三相橋 + 驅(qū)動(dòng)全選項(xiàng)混合動(dòng)力驅(qū)動(dòng) mSiC? MOSFET 模塊
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置，其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置，其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置，其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級(jí)結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝，具有超…
UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET，采用級(jí)聯(lián)優(yōu)化 MOSFET，是目前市場(chǎng)上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝，具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…
UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置，其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…
NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1：1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管，TO-247-4型號(hào)：NVH4L050N170M1封裝：TO-247-4類型：碳化硅（SiC）MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù)：FET 類型：N 通道技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）漏源電壓（Vdss）：1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢：86-755-83294757
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