商品名稱:IPB180P04P403ATMA2
數(shù)據(jù)手冊:IPB180P04P403ATMA2.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-263-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:7000 件
英飛凌 IPB180P04P403ATMA2 OptiMOS?-P2汽車用MOSFET提供全系列P溝道汽車用功率MOSFET,采用OptiMOS-P2和Gen5技術(shù)。
屬性
系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?-P2
FET 類型: P 通道
技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 40 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :180A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 2.8 毫歐 @ 100A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 4V @ 410μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 250 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 17640 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 150W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: PG-TO263-7-3
封裝/外殼: TO-263-7,D2Pak(6 引線 + 接片)
優(yōu)勢
高邊驅(qū)動(dòng)無需電荷泵
簡單的接口驅(qū)動(dòng)電路
40V 時(shí), RDSon 為世界極低值
極高的沖擊電流能力
極低的開關(guān)功耗和傳導(dǎo)功率損耗,造就極高的熱效率
穩(wěn)固的封裝,出色的品質(zhì),高可靠性
標(biāo)準(zhǔn)封裝 TO-252、TO-263、TO-220、TO-262
潛在應(yīng)用
用于電機(jī)橋的高邊 MOSFET(半橋、H 橋、三相電機(jī))
采用40V P 通道作為高邊器件,無需電荷泵即可實(shí)現(xiàn)橋配置
仿真/ SPICE-型號
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IRF1310NPBF是一款100V 單 N 通道功率 MOSFET,采用 TO-220 封裝。電話咨詢:86-755-83294757
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