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SCT4062KEHRC11是一款1200V、26A的Nch SiC功率MOSFET。該產(chǎn)品采用溝槽結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了更低的導(dǎo)通電阻，是符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的高可靠性車規(guī)級產(chǎn)品。

產(chǎn)品屬性

制造商:ROHM Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

技術(shù):SiC

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-247N-3

晶體管極性:N-Channel

通道數(shù)量:1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流:26 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:62 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:- 4 V, + 21 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:4.8 V

Qg-柵極電荷:64 nC

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:115 W

通道模式:Enhancement

下降時間:11 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值:6.5 S

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:20 ns

工廠包裝數(shù)量: 450

子類別:MOSFETs

晶體管類型:1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間:25 ns

典型接通延遲時間:6 ns

零件號別名:SCT4062KEHR

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