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NTBG014N120M3P碳化硅 (SiC) MOSFET是1200V M3P平面SiC MOSFET系列的一部分。ON MOSFET優(yōu)化用于電源應用。該平面技術(shù)可在柵極處于負柵極電壓驅(qū)動和關(guān)斷尖峰狀態(tài)下可靠工作。該系列在使用18V柵極驅(qū)動時具有最佳性能，但也可與15V柵極驅(qū)動配合使用。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：104A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：20 毫歐 @ 74A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.63V @ 37mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：337 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：6313 pF @ 800 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：454W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：D2PAK-7

封裝/外殼：TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA

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