商品名稱：STM32F103ZEH6
數(shù)據(jù)手冊：
STM32F103ZEH6.pdf
品牌：ST
年份：23+
封裝：LFBGA144
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：5000 件
STM32F103ZEH6性能線系列集成了高性能Arm? Cortex?-M3 32位RISC內核，工作頻率為72 MHz，具有高速嵌入式存儲器（閃存高達512 KB，SRAM高達64 KB），以及大量連接到兩條APB總線的增強型I/O和外圍設備。所有器件都提供三個12位ADC、四個通用16位定時器和兩個PWM定時器，以及標準和高級通信接口：多達兩個I2C、三個SPI、兩個I2S、一個SDIO、五個USART、一個USB和一個CAN。
STM32F103ZEH6高密度性能線系列在-40至+105℃溫度范圍內工作，采用2.0至3.6V電源供電。一套全面的省電模式允許設計低功耗的應用。
特性
高達1MB的程序存儲器大小
32位數(shù)據(jù)總線寬度
12位ADC分辨率
高達72MHz的最大時鐘頻率
多達112個I/O
高達96KB的數(shù)據(jù)RAM大小
2V至3.6V的工作電源電壓
這些特性使STM32F103ZEH6高密度性能線微控制器系列適用于各種應用，如電機驅動、應用控制、醫(yī)療和手持設備、PC和游戲外設、GPS平臺、工業(yè)應用、PLC、變頻器、打印機、掃描儀、報警系統(tǒng)視頻對講和HVAC。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Renesas
FBGA-320
2000
ARM? Cortex?-R4F RZ/T1 微控制器 IC 32-位 600MHz ROMless 320-LFBGA（17x17）
Renesas
FBGA-320
2000
ARM? Cortex?-R4F RZ/T1 微控制器 IC 32-位 300MHz ROMless 320-LFBGA（17x17）
Renesas
FBGA-320
2000
ARM? Cortex?-R4F RZ/T1 微控制器 IC 32-位 450MHz ROMless 320-LFBGA（17x17）
Renesas
FBGA-320
2000
ARM? Cortex?-R4F RZ/T1 微控制器 IC 32-位 600MHz ROMless 320-LFBGA（17x17）
Microchip
28-UQFN
1200
MIPS32? microAptiv? PIC? 32MM 微控制器 IC 32 位單核 25MHz 128KB（128K x 8） 閃存 28-UQFN（4x4）
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意法半導體（ST）集團于1987年成立，是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%；營業(yè)…
STM32FEBKC6T6A
STM32FEBKC6T6A是由意法半導體（STMicroelectronics）設計生產(chǎn)的 32 位微控制器，采用 ARM Cortex-M3 內核，工作頻率高達 72MHz，具有高性能和低功耗的特點，適用于多種應用場景。
SPC563M64L5COAR
SPC563M64L5COAR是一款高性能 32 位汽車微控制器，基于 Power Architecture 技術，專為汽車動力系統(tǒng)應用設計。
STM32G070CBT6TR
STM32G070CBT6TR是意法半導體（STMicroelectronics）推出的基于 Arm Cortex-M0+ 內核的 32 位微控制器，具有高性能、低功耗和豐富的外設接口，適用于多種嵌入式應用。
STGIPNS4C60T-H
STGIPNS4C60T-H是一款緊湊型高性能交流電機驅動器，采用簡潔卻堅固的設計。由六個帶續(xù)流二極管的IGBT和三個用于柵極驅動控制的半橋HVIC組成，具有低電磁干擾(EMI)特征和經(jīng)過優(yōu)化的開關速度。其特點和主要規(guī)格如下：特點包含用于柵極驅動控制IC和續(xù)流二極管的IPM 3 A、600…
STGY40NC60VD
STGY40NC60VD是一款N溝通 50A-600V的IGBT，適用于需要高電流和高頻率操作的應用場景。STGY40NC60VD適用于需要高電流和高頻率操作的應用場景，如工業(yè)控制、電機驅動、電力轉換等。STGY40NC60VD的主要規(guī)格如下：IGBT 類型：-電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V電流 - 集電…
STGB10NC60HDT4
STGB10NC60HDT4采用先進的PowerMESH技術，確保在開關性能和低導通狀態(tài)行為之間取得良好的平衡。該技術使得STGB10NC60HDT4在導通時的電壓降（VCE(sat)）較低，且沒有交叉?zhèn)鲗У南右桑謴吞匦苑浅＼浨铱焖?。其技術規(guī)格和應用領域如下：技術規(guī)格IGBT 類型：-電壓 - 集射極…電話咨詢：86-755-83294757
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