商品名稱:FGH75T65SQDNL4
數(shù)據(jù)手冊(cè):FGH75T65SQDNL4.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
FGH75T65SQDNL4采用堅(jiān)固耐用且經(jīng)濟(jì)高效的場(chǎng)截止 IV 溝道結(jié)構(gòu),并在要求苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能。在要求苛刻的開關(guān)應(yīng)用中性能卓越,具有低導(dǎo)通電壓和最小開關(guān)損耗。此外,這款新器件采用 TO-247-4L 封裝,大大降低了 Eon 損耗。與標(biāo)準(zhǔn) TO-247-3L 封裝相比,可顯著降低 Eon 損耗。封裝相比,大大降低了諧振損耗。該 IGBT 非常適合 UPS 和太陽(yáng)能應(yīng)用。該器件集成了一個(gè)軟、快速的共封裝自由輪二極管,具有較低的正向電壓。
產(chǎn)品屬性
IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):200 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):200 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,75A
功率 - 最大值:375 W
開關(guān)能量:1.25mJ(開),1.26mJ(關(guān))
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷:152 nC
25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:44ns/208ns
測(cè)試條件:400V,75A,10 歐姆,15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):134 ns
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-4
供應(yīng)商器件封裝:TO-247-4L
應(yīng)用
? 太陽(yáng)能逆變器
? 不間斷電源逆變器 (UPS)
? 中性點(diǎn)夾鉗拓?fù)?/span>
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄嚒⑼ㄐ?、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時(shí)鐘或數(shù)據(jù)接收器,可接受 AnyLevelTM 輸入信號(hào): LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過(guò)AEC Q101 認(rèn)證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅(jiān)固且具有成本效益的場(chǎng)停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能,具有低導(dǎo)通狀態(tài)電壓和最小的開關(guān)損耗,優(yōu)化了在汽車應(yīng)用中硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)涞男阅?。技術(shù)…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅(jiān)固、高性價(jià)比的場(chǎng)終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供出色的性能。低導(dǎo)通電壓和最小開關(guān)損耗在汽車應(yīng)用中提供最佳的硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)湫阅?。技術(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應(yīng)用于電力電子設(shè)備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場(chǎng)終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗,可在太陽(yáng)能逆變器、UPS和ESS等各種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效率運(yùn)行。技術(shù)規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無(wú)刷直流(BLDC)電機(jī)預(yù)驅(qū)動(dòng)器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費(fèi)類電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)。電話咨詢:86-755-83294757
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