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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。
總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn)領(lǐng)域——高能效、移動性和安全性提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。
Infineon 英飛凌專注于迎接現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn)： 高能效、 移動性和 安全性，為汽車和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應(yīng)用提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。英飛凌的產(chǎn)品素以高可靠性、卓越質(zhì)量和創(chuàng)新性著稱，并在模擬和混合信號、射頻、功率以及嵌入式控制裝置領(lǐng)域掌握尖端技術(shù)。英飛凌的業(yè)務(wù)遍及全球，在美國加州苗必達(dá)、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地?fù)碛蟹种C構(gòu)。2018財年（截止 2018年9 月 30 日），公司在全球市場的總營收為75.99億歐元。
2018年8月2日，英飛凌與阿里云簽署物聯(lián)網(wǎng)合作備忘錄，共同推進(jìn)物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)在智慧生活、工業(yè)等領(lǐng)域的應(yīng)用。
產(chǎn)品圖片
規(guī)格型號
品牌
參數(shù)描述
起訂量
庫存
購買數(shù)量
單價
操作
產(chǎn)品編號：用于汽車的1200V SiC Mosfet系列
封裝:TO-263-7
產(chǎn)品編號：IGBT 模塊 溝槽型場截止 三相反相器 750 V 375 A 20 mW 底座安裝 AG-HYBDC6I-1
封裝:MODULE
產(chǎn)品編號：1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-263-7
產(chǎn)品編號：IGBT 模塊 溝槽型場截止 三相反相器 750 V 950 A 870 W 底座安裝 AG-HYBRIDD-2
封裝:MODULE電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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