深圳市明佳達(dá)電子有限公司(供應(yīng))(回收)羅姆晶體管 SCT3080ARHRC15_SCT3080KRHRC15 N溝道碳化硅功率MOSFETROHM SemiconductorN溝道SiC(碳化硅)功率MOSFET在開關(guān)期間不會(huì)產(chǎn)生尾電流,因此動(dòng)作更快,開關(guān)損耗更低。它們的低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司(供應(yīng))(回收)羅姆晶體管 SCT3080ARHRC15_SCT3080KRHRC15 N溝道碳化硅功率MOSFET
ROHM SemiconductorN溝道SiC(碳化硅)功率MOSFET在開關(guān)期間不會(huì)產(chǎn)生尾電流,因此動(dòng)作更快,開關(guān)損耗更低。它們的低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極電荷。這些ROHM SiC Power MOSFET的導(dǎo)通電阻增加非常微弱,封裝小型化更為出色。與標(biāo)準(zhǔn)硅器件相比,它們具有更出色的節(jié)能效果,在標(biāo)準(zhǔn)硅器件中,導(dǎo)通電阻隨溫度的升高可增加一倍以上。
SCT3080ARHRC15_SCT3080KRHRC15產(chǎn)品屬性
FET 類型: N 通道
技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :30A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 18V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 104 毫歐 @ 10A,18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 5.6V @ 5mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 48 nC @ 18 V
Vgs(最大值): +22V,-4V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 571 pF @ 500 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 134W
工作溫度: 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝: TO-247-4L
封裝/外殼: TO-247-4
特性
低導(dǎo)通電阻
開關(guān)速度快
功耗大大降低
易于并行工作
易于驅(qū)動(dòng)
無鉛電鍍
快速反向恢復(fù)
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
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