深圳市明佳達電子有限公司供應和收購羅姆碳化硅MOSFET《SCT4062KW7HRTL》表面貼裝型 N 通道 1200 V 24A(Tc) 93W TO-263-7LROHM的第4代SiC MOSFETSCT4系列是改善了短路耐受時間并實現(xiàn)了業(yè)界超低導通電阻的第4代產品。與以往產品相比,該系列產品的導通電阻降低了約40%,…
深圳市明佳達電子有限公司供應和收購羅姆碳化硅MOSFET《SCT4062KW7HRTL》表面貼裝型 N 通道 1200 V 24A(Tc) 93W TO-263-7L
ROHM的第4代SiC MOSFET
SCT4系列是改善了短路耐受時間并實現(xiàn)了業(yè)界超低導通電阻的第4代產品。與以往產品相比,該系列產品的導通電阻降低了約40%,開關損耗降低了約50%。另外,該產品還支持更容易處理的15V柵-源電壓,使應用產品的設計更容易。
產品描述:
SCT4062KW7HRTL是一款1200V、24A的Nch SiC功率MOSFET。該產品采用溝槽結構實現(xiàn)了更低的導通電阻,是符合AEC-Q101標準的高可靠性車規(guī)級產品。
產品特點:
符合AEC-Q101標準
低導通電阻
開關速度快
快速的反向恢復
易于并聯(lián) 易于驅動
無鉛電鍍;符合RoHS標準
產品屬性:
FET 類型: N 通道
技術: SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss): 1200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :24A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 18V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值): 81 毫歐 @ 12A,18V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 4.8V @ 6.45mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 64 nC @ 18 V
Vgs(最大值): +21V,-4V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 1498 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 93W
工作溫度: 175°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應商器件封裝: TO-263-7L
封裝/外殼: TO-263-8,D2Pak(7 引線+接片),TO-263CA
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