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收購(gòu) ON 碳化硅產(chǎn)品:SiC 二極管、SiC MOSFET、SiC 模塊

收購(gòu) ON 碳化硅產(chǎn)品:SiC 二極管、SiC MOSFET、SiC 模塊

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深圳市明佳達(dá)電子有限公司 收購(gòu) ON 碳化硅產(chǎn)品:SiC 二極管、SiC MOSFET、SiC 模塊


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1.您將積壓的IC/模組庫(kù)存進(jìn)行簡(jiǎn)單分類(lèi),確定型號(hào)、品牌、生產(chǎn)日期、數(shù)量等.

2.請(qǐng)將庫(kù)存清單通過(guò)傳真或郵件方式發(fā)送到我們?cè)u(píng)估團(tuán)隊(duì).

3.等待公司專(zhuān)業(yè)人士的采購(gòu)報(bào)價(jià),達(dá)成協(xié)議后雙方商談具體交易方式進(jìn)行交付.

4.公司只回收正規(guī)渠道貨源,如代理商、貿(mào)易商、終端工廠等,不接受不是正規(guī)渠道貨源.


碳化硅 (SiC) 二極管

碳化硅二極管采用全新技術(shù),與硅相比,開(kāi)關(guān)性能更優(yōu)越,可靠性更高。

碳化硅二極管是一種開(kāi)關(guān)性能更高的二極管。它們具有更高的功率密度和更高的總體效率。減少能量損耗也有助于降低系統(tǒng)成本。

與硅二極管相比,碳化硅二極管效率更高,耐高溫。它們可在高頻率和更高電壓下工作。由于碳化硅二極管的恢復(fù)時(shí)間比硅二極管更快,因此非常適合任何需要從阻塞級(jí)快速過(guò)渡到導(dǎo)電級(jí)的電流。它們也不會(huì)像硅二極管那樣發(fā)熱,因此可用于溫度更高的應(yīng)用,效率更高。


碳化硅(SiC)MOSFET

碳化硅 MOSFET 設(shè)計(jì)快速、堅(jiān)固耐用,具有高效率、減小系統(tǒng)尺寸和降低成本等系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)。

MOSFET 是具有絕緣柵極的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。與硅 MOSFET 相比,這些碳化硅 MOSFET 具有更高的阻塞電壓和更高的熱導(dǎo)率,盡管其設(shè)計(jì)元素相似。碳化硅功率器件的狀態(tài)電阻也更低,擊穿強(qiáng)度是普通硅的 10 倍。一般來(lái)說(shuō),與使用硅材料制造的 MOSFET 相比,使用碳化硅 MOSFET 的系統(tǒng)具有更高的性能和效率。

與硅 MOSFET 相比,選擇 SiC MOSFET 有許多優(yōu)勢(shì),例如開(kāi)關(guān)頻率更高。使用碳化硅 MOSFET 模塊也無(wú)需擔(dān)心高溫開(kāi)發(fā)問(wèn)題,因?yàn)檫@些器件即使在高溫下也能高效運(yùn)行。此外,使用 SiC MOSFET 時(shí),由于所有元件(電感器、濾波器等)的尺寸都更小,因此產(chǎn)品尺寸也更緊湊。


碳化硅 (SiC) 模塊

SiC 模塊包含 SiC MOSFET 和 SiC 二極管。升壓模塊用于太陽(yáng)能逆變器的 DC-DC 階段。這些模塊使用 SiC MOSFET 和 SiC 二極管,額定電壓為 1200V。

碳化硅(SiC)模塊是一種使用碳化硅半導(dǎo)體作為開(kāi)關(guān)的功率模塊。碳化硅功率模塊的目的是通過(guò)開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換電力,以提高系統(tǒng)效率。

碳化硅模塊的主要功能是轉(zhuǎn)換電力。碳化硅比硅更有優(yōu)勢(shì),因?yàn)樘蓟杵骷h(yuǎn)離源的阻力更?。ㄒ?yàn)樾矢撸?,因此可以在更高的開(kāi)關(guān)頻率下工作。此外,基于碳化硅的系統(tǒng)也比硅解決方案更緊湊、更輕便,從而可以實(shí)現(xiàn)更小的設(shè)計(jì)。因此,SiC 器件是提高效率和改善熱管理的理想解決方案。


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