最新資訊深圳市明佳達(dá)電子有限公司（供應(yīng)、回收）IGBT 晶體管（Infineon）AIKW30N60CTXKSA1 600V, 60A 溝槽型場(chǎng)截止 通孔 TO247。器件概述：該TrenchStop?Series IGBT系列晶體管通過應(yīng)用溝道頂部單元（trench top-cell）和場(chǎng)截止（field stop）技術(shù)，Infineon TRENCHSTOP? IGBT…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司（供應(yīng)、回收）IGBT 晶體管（Infineon）AIKW30N60CTXKSA1 600V, 60A 溝槽型場(chǎng)截止 通孔 TO247。
器件概述：
該TrenchStop?Series IGBT系列晶體管通過應(yīng)用溝道頂部單元（trench top-cell）和場(chǎng)截止（field stop）技術(shù)，Infineon TRENCHSTOP? IGBT系列顯著改善了IGBT器件的動(dòng)態(tài)和靜態(tài)性能。IGBT與軟恢復(fù)發(fā)射極控制二極管的結(jié)合則進(jìn)一步將導(dǎo)通損耗降到了最低。該系列IGBT平衡了開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，從而達(dá)到了最高效率。
特性：
最低的飽和壓降V ce(sat) ，以降低傳導(dǎo)損耗
低開關(guān)損耗
由于器件在飽和壓降V ce(sat)下具有正溫度系數(shù)， 因此容易實(shí)現(xiàn)并行切換功能
反向并聯(lián)在IGBT兩端的發(fā)射極控制續(xù)流二極管軟恢復(fù)能力強(qiáng)且速度快
耐用，且溫度特性穩(wěn)定
低電磁輻射
低門極電荷
參數(shù)分布緊湊
AIKW30N60CTXKSA1 技術(shù)參數(shù)：
IGBT 類型：溝槽型場(chǎng)截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：60 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：90 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)（最大值）：2.05V @ 15V，30A
功率 - 最大值：187 W
開關(guān)能量：690μJ（開），770μJ（關(guān)）
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷：167 nC
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：23ns/254ns
測(cè)試條件：400V，30A，10.6 歐姆，15V
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO247-3-41
典型應(yīng)用：
不間斷電源（UPS）
太陽能逆變器
電機(jī)控制
主要家用電器
其他硬開關(guān)應(yīng)用
如有興趣，歡迎致電聯(lián)系陳先生：
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