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2025年4月17日，中國 —— 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST；) 推出內(nèi)置xMemory的Stellar車規(guī)級微控制器。xMemory是Stellar系列汽車微控制器內(nèi)置的新一代可改變存儲配置的存儲器，可徹底改變開發(fā)軟件定義汽車 (SDV) 和升級電動汽車平臺的艱難過程。

不同于因需要不同存儲容量而使用多個不同芯片從而引發(fā)不同芯片相關(guān)的開發(fā)和測試成本，內(nèi)置xMemory的Stellar微控制器是當(dāng)前市場首款可改變存儲配置的創(chuàng)新產(chǎn)品，為客戶提供了高能效和高性價比的解決方案。采用從一開始就簡化的方法，汽車制造商能夠使他們的汽車設(shè)計更具前瞻性。這種方法不僅在開發(fā)周期的后期為創(chuàng)新提供了更大的空間，還有助于降低開發(fā)成本，并通過簡化供應(yīng)鏈流程來加快產(chǎn)品的上市時間。Stellar P6 MCU是首款采用 xMemory的Stellar微控制器，主要用于電動汽車的電驅(qū)系統(tǒng)新趨勢和架構(gòu)，計劃將于 2025 年底投產(chǎn)。

意法半導(dǎo)體產(chǎn)品部副總裁兼通用和汽車微控制器部門總經(jīng)理 Luca Rodeschini 表示：“ST為汽車市場開發(fā)出了存儲單元很小的終極存儲器技術(shù)，可滿足汽車應(yīng)用對更大內(nèi)存的無盡需求。內(nèi)置 xMemory的Stellar將為汽車制造商簡化未來汽車架構(gòu)，優(yōu)化成本效益，并大大縮短產(chǎn)品開發(fā)時間。這種創(chuàng)新解決方案讓相同的硬件提供原有的基礎(chǔ)設(shè)施和功能，并為持續(xù)不斷的產(chǎn)品創(chuàng)新預(yù)留充足的內(nèi)存空間，讓汽車制造商安心地推出數(shù)字化和電動化創(chuàng)新技術(shù)，保持市場領(lǐng)先地位，延長汽車的生命周期?！?/span>

博世副總裁 Axel Aue表示：“通過嵌入相變存儲器 (PCM) 技術(shù)，Stellar 提供了一種穩(wěn)健、靈活的存儲器概念，可用于開發(fā)高性能、適應(yīng)性強的汽車微控制器。相較于其他存儲器技術(shù)，例如， RRAM 和 MRAM，PCM技術(shù)的應(yīng)用優(yōu)勢更強。”

Moor Insights & Strategy 首席分析師 Anshel Sag 表示： “通過選擇Stellar xMemory 這樣的可擴展 MCU，工程師不必為支持新的軟件功能，花費昂貴的成本重新設(shè)計硬件。無論是在開發(fā)早期還是發(fā)布后的OTA 更新過程中，隨著軟件代碼量不斷增加，同一平臺可以現(xiàn)場升級，從而顯著縮短了產(chǎn)品上市時間和維護成本。像 Stellar 這樣采用 xMemory 的解決方案還能簡化物流流程，提高物料清單效率?！?/span>

工作原理

汽車制造商需要無縫集成軟硬件，最大限度地提高軟硬件跨平臺二次使用率，延長汽車生命周期，并增強數(shù)字化功能。隨著汽車行業(yè)不斷推出新功能、新法規(guī)和對內(nèi)存容量需求很大的人工智能和機器學(xué)習(xí)應(yīng)用，以及無線 (OTA) 更新功能，軟件變得日益復(fù)雜，內(nèi)存容量成為汽車發(fā)展的瓶頸。為解決這一挑戰(zhàn)，意法半導(dǎo)體的 xMemory 存儲技術(shù)可以在開發(fā)階段或車輛使用過程中擴大內(nèi)存容量，讓汽車應(yīng)用程序更新升級不再受內(nèi)存空間的限制。

在軟件定義汽車生命周期開始階段選擇正確的MCU，可確保微控制器能夠為未來的軟件開發(fā)提供充足的存儲空間。選擇存儲容量過高的芯片會增加成本，而選擇存儲容量過低的芯片則可能需要后期尋找存儲空間更大的MCU，并重新測試，從而增加了開發(fā)復(fù)雜性、成本和時間。內(nèi)置xMemory的Stellar MCUs 的價格具有競爭力，可以節(jié)省更多成本，簡化OEM供應(yīng)鏈，并延長產(chǎn)品壽命，最大限度擴大跨項目二次使用率，縮短檢測時間，從而加快產(chǎn)品上市。

PCM相變存儲器和Stellar技術(shù)說明：

ST 一直處于汽車 MCU 從閃存向嵌入式非易失性存儲器 (eNVM) 技術(shù)過渡的前沿，推出了首個車規(guī) 28nm eNVM技術(shù)，同時這也是 xMemory 的核心技術(shù)。與RRAM、MRAM、閃存等 NVM 技術(shù)相比，ST的嵌入式相變存儲器 (ePCM) 在能效、性能、面積 (PPA) 指標(biāo)上表現(xiàn)更好。

PCM 擁有業(yè)界最小的 eNVM存儲單元，18nm和28nm PCM的存儲密度是其他技術(shù)的兩倍。

即將推出的基于Arm?處理器的Stellar P和G兩大系列MCU將集成新一代PCM技術(shù)。Stellar產(chǎn)品家族是為汽車應(yīng)用專門設(shè)計，可簡化車輛電氣架構(gòu)，提高能效、靈活性和安全性。產(chǎn)品組合包括用于中央域控制器、域控制器和車身控制的 Stellar Integration MCU (Stellar P和Stellar G系列)，它們整合了多個獨立通信和控制 ECU 功能，還有一個針對電動汽車電驅(qū)模塊電源轉(zhuǎn)換器控制優(yōu)化的 Stellar Electrification MCU (Stellar E系列)。

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