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意法半導(dǎo)體（簡稱ST）推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個方面成為新的市場標(biāo)桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時，意法半導(dǎo)體還針對電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術(shù)。公司計劃在2027年前推出更多先進的SiC技術(shù)創(chuàng)新成果，履行創(chuàng)新承諾。

意法半導(dǎo)體模擬、功率與分立器件、MEMS和傳感器產(chǎn)品部（APMS）總裁Marco Cassis表示：“意法半導(dǎo)體承諾為市場提供尖端的碳化硅技術(shù)，推動電動汽車和高能效工業(yè)的未來發(fā)展。我們將繼續(xù)在器件、先進封裝和電源模塊方面創(chuàng)新，推進SiC MOSFET技術(shù)發(fā)展。結(jié)合供應(yīng)鏈垂直整合制造戰(zhàn)略，我們通過提供行業(yè)前沿的SiC技術(shù)、打造富有韌性的供應(yīng)鏈，以滿足客戶日益增長的需求，并為更可持續(xù)的未來做出貢獻?！?/span>

作為SiC功率MOSFET的市場領(lǐng)跑者，意法半導(dǎo)體正在進一步推進技術(shù)創(chuàng)新，以充分利用SiC能效和功率密度比硅基器件更高的優(yōu)點。最新一代SiC器件旨在改善未來電動汽車電驅(qū)逆變器平臺，進一步釋放小型化和節(jié)能潛力。盡管電動汽車市場不斷增長，但要實現(xiàn)廣泛應(yīng)用仍面臨挑戰(zhàn)，汽車制造商正在探索推出普通消費者都能買得起的電動汽車?；赟iC的800V電動汽車平臺電驅(qū)系統(tǒng)實現(xiàn)了更快的充電速度，降低了電動汽車的重量，有助于汽車制造商生產(chǎn)續(xù)航里程更長的高端車型。意法半導(dǎo)體的新SiC MOSFET產(chǎn)品有750V和1200V兩個電壓等級，能夠分別提高400V和800V電動汽車平臺電驅(qū)逆變器的能效和性能。中型和緊湊車型是兩個重要的汽車細(xì)分市場。將SiC的技術(shù)優(yōu)勢下探到這兩個市場，有助于讓電動汽車被普羅大眾接受。除了電車外，新一代SiC技術(shù)還適用于各種大功率工業(yè)設(shè)備，包括太陽能逆變器、儲能解決方案和數(shù)據(jù)中心等日益增長的應(yīng)用，幫助其顯著提高能源效率。

產(chǎn)品進度

意法半導(dǎo)體現(xiàn)已完成第四代SiC技術(shù)平臺750V電壓等級的產(chǎn)前認(rèn)證，預(yù)計將在2025年第一季度完成1200V電壓等級的認(rèn)證。標(biāo)稱電壓為750V和1200V的產(chǎn)品隨后將上市銷售，從標(biāo)準(zhǔn)市電電壓，到高壓電動汽車電池和充電器，滿足設(shè)計人員的各種應(yīng)用開發(fā)需求。

應(yīng)用場景

與硅基解決方案相比，意法半導(dǎo)體的第四代SiC MOSFET解決方案的能效更高，尺寸更小，重量更輕，續(xù)航更長。這些優(yōu)勢對于實現(xiàn)電動汽車的廣泛應(yīng)用至關(guān)重要。一線電動汽車廠商正與意法半導(dǎo)體達成合作，將第四代SiC技術(shù)引入他們的新車型，以提高性能和能源效率。雖然主要應(yīng)用是電動汽車電驅(qū)逆變器，但意法半導(dǎo)體的第四代SiC MOSFET也同樣適用于大功率工業(yè)電機驅(qū)動器，因為新一代產(chǎn)品改進了開關(guān)性能和穩(wěn)健性，讓電機控制器變得更高效、更可靠，可降低工業(yè)環(huán)境中的能耗和運營成本。在可再生能源應(yīng)用中，第四代SiC MOSFET可以提高太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)的能效，有助于實現(xiàn)可持續(xù)化和成本效益更高的能源解決方案。此外，新一代SiC MOSFET高能效和緊湊尺寸的技術(shù)特性對于解決巨大的功率需求和熱管理挑戰(zhàn)至關(guān)重要，適用于AI服務(wù)器數(shù)據(jù)中心的電源。

技術(shù)開發(fā)規(guī)劃

意法半導(dǎo)體通過垂直整合制造戰(zhàn)略加快SiC功率器件的開發(fā)，同時還在開發(fā)多項SiC技術(shù)創(chuàng)新，推動功率器件技術(shù)在未來三年內(nèi)取得重大改進。未來的第五代SiC功率器件將采用基于全新工藝的高功率密度創(chuàng)新技術(shù)。ST正在同時開發(fā)一項突破性創(chuàng)新技術(shù)，該技術(shù)創(chuàng)新有望在高溫下實現(xiàn)更出色的導(dǎo)通電阻RDS(on)參數(shù)，在與現(xiàn)有的SiC技術(shù)相比，將進一步降低 RDS(on)。

ST將在2024年ICSCRM科學(xué)產(chǎn)業(yè)大會上展示公司在SiC和其他寬禁帶半導(dǎo)體上取得的最新研發(fā)成果。該活動將于2024年9月29日至10月4日在北卡羅來納州羅利舉行，包括ST技術(shù)講解和關(guān)于“High volume industrial environment for leading edge technologies in SiC”（為SiC前沿技術(shù)創(chuàng)造量產(chǎn)工業(yè)環(huán)境）的主題演講。

了解更多信息，請訪問https://www.st.com/content/st_com/en/events/ICSCRM-2024.html。

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