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供應(yīng) INFINEON 產(chǎn)品：IGBT 晶體管、MOSFET 晶體管、GaN 晶體管

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深圳市明佳達(dá)電子有限公司供應(yīng) INFINEON 產(chǎn)品：IGBT 晶體管、MOSFET 晶體管、GaN 晶體管深圳市明佳達(dá)電子有限公司專(zhuān)業(yè)從事電子元器件銷(xiāo)售，我們提供豐富的產(chǎn)品選擇，精準(zhǔn)的供應(yīng)鏈管理，以及全面的技術(shù)支持。公司致力于為客戶(hù)提供高效、便捷、優(yōu)質(zhì)的電子元器件采購(gòu)體驗(yàn)。…

深圳市明佳達(dá)電子有限公司供應(yīng) INFINEON 產(chǎn)品：IGBT 晶體管、MOSFET 晶體管、GaN 晶體管

深圳市明佳達(dá)電子有限公司專(zhuān)業(yè)從事電子元器件銷(xiāo)售，我們提供豐富的產(chǎn)品選擇，精準(zhǔn)的供應(yīng)鏈管理，以及全面的技術(shù)支持。公司致力于為客戶(hù)提供高效、便捷、優(yōu)質(zhì)的電子元器件采購(gòu)體驗(yàn)。

IGBT 晶體管 - 通過(guò)突破性創(chuàng)新和應(yīng)用聚焦引領(lǐng)市場(chǎng)

英飛凌致力于實(shí)現(xiàn)最高標(biāo)準(zhǔn)的性能和質(zhì)量，提供首屈一指的全面分立式 IGBT 產(chǎn)品組合。新產(chǎn)品針對(duì)特定應(yīng)用開(kāi)發(fā)，以實(shí)現(xiàn)最高價(jià)值。

從 600V 到 1600V，我們提供各種 IGBT 電壓等級(jí)，以滿(mǎn)足各種應(yīng)用中的不同電壓要求。我們的分立式 IGBT 封裝組合包括 SMD（表面貼裝器件）封裝（如 D2PAK、DPAK、SOT-223）和通孔封裝（如 TO220、TO220FP、TO247、TO247-4、TO247PLUS、TO-247PLUS-4 和 TO247 高級(jí)隔離封裝）。

分立式 IGBT 解決方案有反并聯(lián)二極管和無(wú)反并聯(lián)二極管兩種，非常適合用于工業(yè)、家電和汽車(chē)應(yīng)用。

MOSFET 晶體管 - OptiMOS?、StrongIRFET? 和 CoolMOS?，適用于低、中和高功率應(yīng)用的低、中和高壓功率 MOSFET

N 溝道 MOSFET 利用電子創(chuàng)建電流溝道。這樣，當(dāng) MOSFET 啟動(dòng)和接通時(shí)，電子就能在電流中快速、輕松地移動(dòng)。由于 N 溝道 MOSFET 的特殊性，在相同的 RDS（導(dǎo)通）值下，載流子的遷移率大約是 P 溝道的兩到三倍，而 P 溝道芯片的尺寸必須是 N 溝道的兩到三倍。因此，在大電流應(yīng)用中，使用 MOSFET 晶體管 N 溝道通常是首選。

氮化鎵晶體管 - 為消費(fèi)、工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用提供最高效率和功率密度的分立和集成解決方案

英飛凌的氮化鎵晶體管在高達(dá) 700 V 的電壓范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換。我們的氮化鎵器件具有快速的導(dǎo)通/關(guān)斷速度、最小的開(kāi)關(guān)損耗和多種封裝選項(xiàng)，從而能夠簡(jiǎn)單快速地將產(chǎn)品推向市場(chǎng)。這些器件符合廣泛的標(biāo)準(zhǔn)，超越了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。氮化鎵技術(shù)大大提高了系統(tǒng)的整體性能，并最大限度地降低了系統(tǒng)成本，提高了易用性。

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